[发明专利]一种宽禁带半导体异质结渡越时间二极管噪声检测方法及系统有效

专利信息
申请号: 202011059069.3 申请日: 2020-09-30
公开(公告)号: CN112363038B 公开(公告)日: 2021-04-27
发明(设计)人: 韦文生;余寿豪;张夏彬;莫越达;黄文喜;周迪;何明昌 申请(专利权)人: 温州大学
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 温州名创知识产权代理有限公司 33258 代理人: 陈加利
地址: 325000 浙江省温州市瓯海*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供一种宽禁带半导体异质结渡越时间二极管噪声检测方法及系统,包括获取被测二极管(DUT),并选取相应的噪声因素含有电离雪崩效应、量子效应、场致隧穿效应,修正预设的连续性方程、电流密度方程及泊松方程;其中,DUT为碰撞电离雪崩渡越时间IMPATT二极管或混合隧穿雪崩渡越时间MITATT二极管;对DUT模型网格化,把修正后的连续性方程、电流密度方程及泊松方程组成的方程组离散化;求解离散化的方程组,得到结构、稳态性能、交流性能;构建噪声模型,并将所述结构、稳态性能、交流性能参数值导入所述噪声模型和所述边界条件中进行双迭代计算,得到DUT的噪声参数值。实施本发明,可以提高DUT的噪声检测精度。
搜索关键词: 一种 宽禁带 半导体 异质结渡越 时间 二极管 噪声 检测 方法 系统
【主权项】:
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