[发明专利]磁性随机存储器有效

专利信息
申请号: 202011059916.6 申请日: 2020-09-30
公开(公告)号: CN112186094B 公开(公告)日: 2023-02-28
发明(设计)人: 赵巍胜;朱道乾;郭宗夏;曹凯华;彭守仲 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: H10N50/80 分类号: H10N50/80;H10N50/10;G11C11/16
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 孙乳笋;赵平
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种磁性随机存储器,所述磁性随机存储器包括:反铁磁层;磁隧道结,设于所述反铁磁层上,包括与所述反铁磁层对应设置的铁磁层;其中,所述磁隧道结的铁磁层具备面内磁各向异性,所述反铁磁层与所述铁磁层间通过退火工艺形成交换偏置场。所述交换偏置场的方向通过自旋轨道矩改变,从而改变所述铁磁层磁矩的方向,实现数据写入。本发明可提高i‑MTJ的热稳定性,减小i‑MTJ的横向尺寸,从而提高磁存储器的存储密度。
搜索关键词: 磁性 随机 存储器
【主权项】:
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