[发明专利]一种半导体沉积设备及半导体设备系统在审
| 申请号： | 202011060031.8 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112267106A | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 陈卫军 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶相技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/54 | 分类号： | C23C16/54;C23C16/505;C23C16/34;C23C16/458;C23C16/455;C23C14/56;C23C14/50;C23C14/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林凡燕 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种半导体沉积设备及半导体设备系统，包括：传送腔体，所述传送腔体内设置有机械臂；至少一可拆卸腔体，设置在所述传送腔体内的外侧，所述机械臂将基板放置在所述可拆卸腔体内，以在所述基板上沉积薄膜；进气管路，连接所述可拆卸腔体，用于向所述可拆卸腔体内输送气体。本发明提出的半导体沉积设备可以减少相互无尘室受到污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 沉积 设备 半导体设备 系统 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
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