[发明专利]一种基于碳纳米管的X射线源及其制备方法有效
| 申请号： | 202011060193.1 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112233956B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 王晓晶;罗晓亮;王浩旭;梁秀兵;胡振峰 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院 |
| 主分类号： | H01J35/02 | 分类号： | H01J35/02;H01J35/24 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 孙婧雯 |
| 地址： | 100071 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种基于碳纳米管的X射线源及其制备方法，通过第一金属球从碳纳米管生长基底上吸附预先分立的碳纳米管并将其转移至电子源通孔内，相比通过墨水转移碳纳米管的方法，避免了转移过程中碳纳米管的污染；通过第二金属球与密封通孔周边阴极电极的键合构成了X射线源的密封结构，便于规模化实现器件的密封；第一、第二金属球通过引线键合过程制备，引线键合过程为标准化过程，所使用的仪器也是标准化设备，通过第一金属球吸附碳纳米管实现碳纳米管的转移，能够将碳纳米管的转移过程标准化，而通过第二金属球制备密封结构，能够将器件真空封装过程规模化，有利于实现整个X射线源生产过程的标准化，具备规模化应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 射线 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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