[发明专利]半导体工艺设备及其进气机构有效
申请号: | 202011060316.1 | 申请日: | 2020-09-30 |
公开(公告)号: | CN112359344B | 公开(公告)日: | 2022-09-16 |
发明(设计)人: | 兰玥 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/44 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其进气机构。该进气机构设置于半导体工艺设备的工艺腔室上,用于将气体导入工艺腔室内,其包括:包括进气筒组件;进气筒组件内形成有气体通路,并且进气筒组件的两端分别为进气口及出气口;气体通路的内径沿进气口至出气口的方向变小;进气口与半导体工艺设备的供气源连接,出气口与工艺腔室的顶部连接;进气筒组件的内壁上还设置有螺旋线组,螺旋线组用于使流经气体通路的气体产生涡旋,以使得进入工艺腔室内的气体呈涡旋状态。本申请实施例实现了大幅缩短气体的饱和吸附时间以及对工艺腔室的吹扫时间,因此大幅提高半导体工艺设备的产能,并且能有效降低设备的应用成本。 | ||
搜索关键词: | 半导体 工艺设备 及其 机构 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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