[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202011060326.5 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112599662A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 吴荣堂;简钰人;吴思桦;李锦思;黄耀贤 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/02;H01L43/08 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本文公开了一种半导体结构的形成方法，包括于磁性穿隧接面(magnetic tunnel junction,MTJ)层上方形成第一顶电极(top electrode,TE)层，并对第一TE层进行平滑处理。平滑处理是于形成第一TE层之后原位进行。平滑处理从第一TE层移除尖峰点缺陷。可于第一TE层上方形成多个额外的TE层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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