[发明专利]在芯轴上具有包括二维材料的沟道区的场效应晶体管有效
| 申请号： | 202011060512.9 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112750908B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 朱利安·弗罗吉尔 | 申请（专利权）人： | 格芯公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及在芯轴上具有包括二维材料的沟道区的场效应晶体管，其揭示场效应晶体管的结构以及形成场效应晶体管的结构的方法。栅极电极具有包覆由介电材料组成的芯轴的第一侧表面及第二侧表面的部分。沟道层具有部分位于该芯轴的该第一侧表面与该栅极电极的该部分之间的沟道区。该沟道层由二维材料组成。 | ||
| 搜索关键词： | 芯轴上 具有 包括 二维 材料 沟道 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
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