[发明专利]一种优化衬垫层质量的方法在审
| 申请号： | 202011061130.8 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112201618A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇;徐建华 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种优化衬垫层质量的方法，提供具有凹槽结构的介电层，在凹槽结构内依次沉积一层扩散阻挡层和薄层衬垫层；使用金属材料对薄层衬垫层进行物理气相沉积，去除薄层衬垫层内的杂质以致密化薄层衬垫层，同时在薄层衬垫层上形成一层金属薄层；在凹槽结构内沉积一层铜籽晶层；在凹槽结构内填满铜；化学机械研磨凹槽结构上表面以去除露出的铜，并且研磨至将介电层露出为止。本发明针对铜互连工艺进行改进，通过对介电层的凹槽中的薄层衬垫层利用金属材料进行物理气相沉积，利用高偏压的条件轰击薄层衬垫层，以去除其内部杂质，使得薄层衬垫层更加致密化，有效提高了薄层衬垫层的成膜质量，降低接触孔的接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 优化 衬垫 质量 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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