[发明专利]一种调节MOS器件阈值电压的方法在审
| 申请号： | 202011061143.5 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112201582A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 沈震;刘大伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种调节MOS器件阈值电压的方法，提供半导体结构，包括硅衬底，硅衬底上有多晶硅伪栅极，多晶硅伪栅极两侧有侧墙，硅衬底上设有层间介质层；去除多晶硅伪栅极，形成凹槽；在凹槽底部形成高K介质层；悬涂光刻胶，并进行曝光和显影将凹槽打开；对高K介质层的表面进行等离子体溅射或湿法处理；去除半导体结构上表面的光刻胶，在凹槽内沉积功函数金属层。本发明在沉积栅极功函数金属之前，通过增加一张光罩，对制程中的MOS器件的底层金属层或高K介质层采用等离子溅射或湿法的表面处理，来改变特定器件金属功函数或界面固定电荷密度，从而改变MOS器件金属功函数或界面固定电荷密度，实现阈值电压的调节。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调节 mos 器件 阈值 电压 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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