[发明专利]一种T型交叉梁十字岛膜压力传感器芯片及制备方法有效
| 申请号： | 202011061202.9 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112284606B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 李村;杨鑫婉;赵玉龙;郝乐;张凯 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01L9/06 | 分类号： | G01L9/06;G01L19/06 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 贺建斌 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种T型交叉梁十字岛膜压力传感器芯片及制备方法，传感器芯片包括基底中部的薄膜，薄膜上表面连接有T型交叉梁，T型交叉梁由四个相同尺寸T字梁构成，T字梁的窄端尾部相连，T字梁的宽端头部与基底连接；在基底背面刻蚀腔体内薄膜下表面中心附着有十字型质量块，十字型质量块与T型交叉梁上下对应；T字梁的宽端头部上表面分别布置压敏浮雕电阻条；四个压敏浮雕电阻条通过五个P型重掺杂硅浮雕块依次连接成半开环惠斯顿电桥；制备方法是对SOI硅片制作压敏浮雕电阻条和P型重掺杂硅浮雕块以及点电极，然后将硅片与玻璃正面键合,最后刻蚀传感器的背腔十字型质量块；本发明传感器芯片具有耐300℃高温、耐腐蚀、高线性度等特点，便于加工、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 交叉 十字 压力传感器 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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