[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202011061976.1 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112366227A | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 王耀华;董少华;张金平 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国网山东省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司;电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/47;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法，绝缘栅双极晶体管包括N‑漂移区(4)、P型基区(5)、P型埋层(11)、N+发射区(6)；P型基区(5)位于N‑漂移区(4)上表面两侧，N+发射区(6)位于P型基区(5)的上表面，且距所述P型基区(5)外侧具有设定距离；P型埋层(11)位于N+发射区(6)下方的P型基区(5)内部，P型埋层(11)有效抑制绝缘栅双极晶体管发生闩锁效应，改善了绝缘栅双极晶体管的大电流关断能力，具有较好的坚固性；肖特基接触能够提高绝缘栅双极晶体管表面的载流子浓度，大大增强电导调制效应，从而使绝缘栅双极晶体管的导通压降降低，而且本发明提供的制备方法工艺简单可控，与现有工艺兼容性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 双极晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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