[发明专利]半导体衬底及形成内埋式衬底的方法在审
| 申请号： | 202011062410.0 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112466837A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 黄文宏 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/48;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体衬底，包括：空旷区；内埋有芯片的第一内埋区，由空旷区围绕；多个第一导电柱，贯穿空旷区并布置在第一内埋区周围；以及导电线，多个第一导电柱通过导电线串联，以形成围绕第一内埋区的针线结构。本发明在另一方面提供一种形成内埋式衬底的方法。本发明的目的在于至少提高半导体衬底的强度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 形成 内埋式 方法 | ||
【主权项】：
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