[发明专利]一种半导体器件散热结构有效

专利信息
申请号: 202011063223.4 申请日: 2020-09-30
公开(公告)号: CN112310017B 公开(公告)日: 2022-04-26
发明(设计)人: 霍达;胡磊;郭俊;徐刚;周坤 申请(专利权)人: 东风汽车集团有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/473;H01L23/32;H01L29/739
代理公司: 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 代理人: 詹守琴
地址: 430056 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种半导体器件散热结构,属于散热结构技术领域,用于解决在拧将母排连接在IGBT模块上的螺栓时易对IGBT模块接线端子造成不良影响的技术问题。该半导体器件散热结构包括主体和隔板,主体内设有用于填充冷却液的空腔以及用于裹持IGBT模块的夹层,IGBT模块的接线端子伸出主体顶端,主体的顶端连接有若干块隔板,每相邻两块隔板之间形成线槽,连接于IGBT模块上的母排铺设在线槽内,隔板隔设于母排和接线端子之间。通过上述结构,隔板将IGBT模块的接线端子和母排隔开,当拧将母排连接在IGBT模块上的螺栓时,隔板对接线端子起到防护作用,因此可减小或者消除拧螺栓的操作对IGBT模块接线端子造成的不良影响。
搜索关键词: 一种 半导体器件 散热 结构
【主权项】:
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