[发明专利]一种半导体晶圆湿法蚀刻设备在审
| 申请号： | 202011064163.8 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112117221A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 刘伟明 | 申请（专利权）人： | 刘伟明 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体晶圆湿法蚀刻设备，其结构包括池体、液体箱、控制器、电机、输水管，由于反应物漂浮在腐蚀液上层，受到液体的推力在池体内部流动而粘附在表面，通过清除装置随着池体内部的液体流动沿着隔板表面上下移动，通过刀片将隔板表面的反应物清除，有利于减少反应物附着在池体内部，加快反应物排放，减少反应物随着液体在池体内部流动，有利于处理后的晶圆取出后表面整洁，进一步减少晶圆蚀刻的时间，由于反应物进入到引流槽中后堆积在内壁，易导致引流槽内壁的直径变小，通过推板两侧的移动块与引流槽内壁活动配合，刷板将引流槽内壁的反应物清除，有利于保持引流槽畅通，加快引流槽的液体进入将清除板推动将反应物下推。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 湿法 蚀刻 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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