[发明专利]一种铅锡共混钙钛矿薄膜及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202011064738.6 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112349842A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 谭海仁;林仁兴 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L51/46 | 分类号： | H01L51/46;H01L51/48;H01L51/42 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 黄欣 |
| 地址： | 210008 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铅锡共混钙钛矿薄膜及其制备方法和应用，属于太阳能电池技术领域。本发明通过在钙钛矿前驱体溶液中添加两性离子还原剂，一方面有效地钝化钙钛矿薄膜的缺陷，提高铅锡共混钙钛矿薄膜的质量；同时调控铅锡共混钙钛矿的结晶，改善钙钛矿薄膜的均匀性，提高大面积钙钛矿太阳能电池的光电转化效率；同时钙钛矿成膜后还原剂能留存在钙钛矿薄膜中，有效地抑制钙钛矿薄膜和太阳能电池的氧化，提高太阳能电池的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铅锡共混钙钛矿 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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