[发明专利]一种热浸镀的双频电磁场协同封流装置及系统有效
申请号: | 202011065083.4 | 申请日: | 2020-09-30 |
公开(公告)号: | CN111926279B | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 丁同海;陈威霖;韩小涛;谢剑峰;谌祺;曹全梁 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | C23C2/06 | 分类号: | C23C2/06;C23C2/20;C23C2/24 |
代理公司: | 武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267 | 代理人: | 彭翠;曹葆青 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于热浸镀技术领域,更具体地,涉及一种热浸镀的双频电磁场协同封流装置及系统。该封流装置包括三相行波磁场发生器和单相交变磁场发生器,其中:三相行波磁场发生器设置于封流通道外侧,单相交变磁场发生器设置于该三相行波磁场发生器下方,且设置于封流通道的底部镀液液位以下。三相行波磁场发生器中通入的三相交流电的频率低于单相交变磁场发生器中通入的单相交流电的频率。该封流装置能够产生基于行波磁场的行波电磁力以及基于单相交变磁场的电磁斥力,二者共同作用,既能提供较大的电磁力以抵消镀液所受重力,又能稳定镀液,避免镀液受工件运动的影响发生流动变形造成受力不均而导致漏液。 | ||
搜索关键词: | 一种 热浸镀 双频 电磁场 协同 装置 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011065083.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C2-00 用熔融态覆层材料且不影响形状的热浸镀工艺;其所用的设备
C23C2-02 .待镀材料的预处理,例如为了在选定的表面区域上镀覆
C23C2-04 .以覆层材料为特征的
C23C2-14 .过量熔融覆层的除去;覆层厚度的控制或调节
C23C2-26 .后处理
C23C2-30 .熔剂或融态槽液上的覆盖物
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C2-00 用熔融态覆层材料且不影响形状的热浸镀工艺;其所用的设备
C23C2-02 .待镀材料的预处理,例如为了在选定的表面区域上镀覆
C23C2-04 .以覆层材料为特征的
C23C2-14 .过量熔融覆层的除去;覆层厚度的控制或调节
C23C2-26 .后处理
C23C2-30 .熔剂或融态槽液上的覆盖物