[发明专利]一种硅片单面刻蚀抛光的方法有效
| 申请号： | 202011065493.9 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112309849B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 汤欢;郎芳;马红娜;郭宝军;赵学玲;张伟;李锋;史金超;闫英丽;李青娟;闫兰;王子谦;张雷;潘明翠;田思;唐磊;王新建;吴翠姑;刘莹;李英叶 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司;河北省凤凰谷零碳发展研究院 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L31/18 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明具体公开一种硅片单面刻蚀抛光的方法。所述方法包括：将硅片下表面浸泡在混酸溶液中进行刻蚀抛光，刻蚀深度为2‑4μm，所述混酸溶液为体积比1:3‑5:1.5‑2的氢氟酸溶液、硝酸溶液和硫酸溶液的混合溶液；然后再浸泡到碱溶液和抛光添加剂的混合溶液中进行刻蚀抛光，刻蚀深度为2.5‑4μm；然后再经碱洗、水洗、酸洗、水洗、干燥。本发明提供的酸体系一次刻蚀抛光和碱体系二次刻蚀抛光相结合的工艺，不但可最大限度地保护硅片正面的硼硅玻璃层，还能提高硅片背面的平整度，减少硅片背面的表面缺陷密度，从而有利于提高LPCVD制备的隧穿氧化层和多晶硅层的均匀度和致密度，进而提高电池的转换效率，且工艺简单，可控性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 单面 刻蚀 抛光 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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