[发明专利]低温火箭发射场中深度过冷液氧加注与控制系统及方法有效

专利信息
申请号: 202011065667.1 申请日: 2020-09-30
公开(公告)号: CN112228765B 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 谢福寿;孙强;夏斯琦;马原;王磊;厉彦忠 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: F17C1/12 分类号: F17C1/12;F17C6/00;F17C5/04;F17C13/00;F17C13/02;F17C13/04;F17D1/02;F17D1/14;F17D3/01;F17D5/00
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人: 贺建斌
地址: 710049 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种低温火箭发射场中深度过冷液氧加注与控制系统及方法,包括地面循环液氧储罐、负压液氮浴式换热器和箭上液氧储罐;在发射前利用饱和液氮与低温氦气组合对箭上贮箱先后进行预冷,达到预冷要求后,采用大流量加注方式进行加注,实现快速加注的目标;采用冷氦气技术对火箭贮箱压力进行动态调节和液氧温度大过冷的维持,同时,基于低温液化分离方法考虑了冷氦气回收再利用技术;本发明实现了液氧深度过冷获取、大流量快速加注、加注系统提前脱落、箭上贮箱深度过冷液氧微正压调节和大过冷度维持、氦气循环利用等功能,可对低温火箭发射场液氧深度过冷、加注流程与控制方式提供有效参考。
搜索关键词: 低温 火箭 发射场 深度 过冷 液氧 加注 控制系统 方法
【主权项】:
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