[发明专利]磁随机存储器及其制备方法、存储芯片、电子设备有效
| 申请号： | 202011066322.8 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN111933792B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 陈鑫 | 申请（专利权）人： | 深圳英集芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种磁随机存储器及其制备方法、存储芯片、电子设备，磁随机存储器包括多个呈阵列排布的磁隧道结单元，磁隧道结单元包括衬底层及设于衬底层上的缓冲层、磁自由层、隧穿绝缘层、铁磁层及钉扎层，缓冲层设于衬底层与磁自由层之间，以提高磁自由层的外延结晶质量；磁自由层包括第一化合物，第一化合物包括Cr元素和S元素，第一化合物的晶体结构为闪锌矿型结构；隧穿绝缘层设于磁自由层与铁磁层之间，以形成异质结结构；钉扎层设于铁磁层上，用于固定铁磁层的磁化方向。本申请提供了一种能与现有工艺兼容又不需要大电流翻转磁矩的磁随机存储器及其制备方法、存储芯片、电子设备。 | ||
| 搜索关键词： | 随机 存储器 及其 制备 方法 存储 芯片 电子设备 | ||
【主权项】：
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