[发明专利]光电二极管及TOF测距装置在审
申请号: | 202011066334.0 | 申请日: | 2020-09-30 |
公开(公告)号: | CN114335198A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 戴顺麒;任冠京;莫要武;石文杰;侯金剑 | 申请(专利权)人: | 思特威(上海)电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/102;H01L31/107;G01S7/4861;G01S7/4865;G01S7/4913;G01S7/4915;G01J1/44 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 张媛 |
地址: | 200120 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开一种光电二极管及TOF测距装置,该光电二极管包括衬底、第一电极层、第一电极、第二电极层、第二电极和辅助电极,所述第一电极层设于所述衬底上,所述第一电极设于所述第一电极层上,所述第二电极层设于所述衬底上,所述第二电极设于所述第二电极层上,所述辅助电极接电位或悬空,以产生与所述第一电极层和所述衬底之间的电场方向相对抗的电场,或者对所述第一电极层和所述衬底之间的电场形成屏蔽。本发明的光电二极管及TOF测距装置中,由于辅助电极产生与第一电极层和衬底之间的电场方向相对抗的电场,或者辅助电极对第一电极层和衬底之间的电场形成屏蔽,因此能降低第一电极层边沿的电场,从而起到降低暗计数的作用。 | ||
搜索关键词: | 光电二极管 tof 测距 装置 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的