[发明专利]基于T型栅结构的PN结栅控氧化镓场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202011067740.9 | 申请日： | 2020-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN112133756A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 周弘;雷维娜;燕庆龙;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/24;H01L29/423 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;黎汉华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于T型栅结构的PN结栅控氧化镓场效应晶体管，主要解决目前n型氧化镓场效应晶体管击穿电压较低、泄漏电流较大且不易关断的问题。其自下而上包括：衬底、n‑Ga |
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| 搜索关键词： | 基于 结构 pn 结栅控 氧化 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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