[发明专利]基于液晶调控的垂直腔面发射激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 202011068518.0 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112202049B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 邵泓焰;关宝璐;张杨;崔利杰;崔宁;曾一平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所;北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/062;H01S5/065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种基于液晶调控的垂直腔面发射激光器，包括：第一半导体层，用于发射激发光，其表面为开设有凹槽的GaAs保护层，所述凹槽处作为所述激发光的中心出光孔，微调控层位于所述GaAs保护层上，所述微调控层对应所述凹槽设置有一容纳空间，所述凹槽和所述容纳空间共同构成一液晶盒，所述液晶盒内填充有液晶材料；本公开还包括一种基于液晶调控的垂直腔面发射激光器的制备方法；本公开可以根据激光器工作状态和需要，动态调控输出的模式，不用高度依赖表面反相结构的精度，可以灵活地调节激光器的输出功率，可精确控制凹槽部分和非凹槽部分对谐振波长的反射率，从而控制不同横模的往返损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 液晶 调控 垂直 发射 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所;北京工业大学，未经中国科学院半导体研究所;北京工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011068518.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
