[发明专利]半导体装置以及制造半导体装置的方法在审

专利信息
申请号: 202011070747.6 申请日: 2020-10-09
公开(公告)号: CN112599515A 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: 李琼延;李泰勇;新督尚;李聖爱;郑禹斌;柳智妍;金进勇 申请(专利权)人: 安靠科技新加坡控股私人有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L21/98;H01L23/66
代理公司: 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 代理人: 何尤玉;郭仁建
地址: 新加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 半导体装置以及制造半导体装置的方法。一种半导体装置可包含基板介电结构和基板传导结构,基板传导结构穿越基板介电结构并且包含第一基板端子和第二基板端子;电子构件,具有耦接到第一基板端子的构件端子;以及第一天线组件,具有耦接到第二基板端子的第一组件端子、相邻于第一天线图案的第一组件头侧、相对于第一组件侧的第一组件基底侧以及第一组件侧壁。第一组件端子可以在第一组件基底侧处或在第一组件侧壁处从第一组件介电结构暴露。第一天线图案可以经由第一组件端子而耦接到基板。基板传导结构可耦接第一天线组件到电子构件。
搜索关键词: 半导体 装置 以及 制造 方法
【主权项】:
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