[发明专利]固态掩膜聚焦的大气压低温等离子体射流加工方法及应用有效
申请号: | 202011071633.3 | 申请日: | 2020-10-09 |
公开(公告)号: | CN112366127B | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 刘景全;奚野;刘武 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人: | 徐红银;赵楠 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种固态掩膜聚焦的大气压低温等离子体射流加工方法及应用,包括:在待加工材料表面上旋涂一层掩膜材料,经固化后形成固态掩膜层;采用大气压低温等离子体射流刻蚀固态掩膜层,并使大气压低温等离子体射流刻穿固态掩膜层,在固态掩膜层形成漏斗状结构,对大气压低温等离子体射流起到聚焦作用;之后大气压低温等离子体射流穿过漏斗状结构与待加工材料表面接触,对待加工材料表面进行微加工;刻蚀完成后,去除所述固态掩膜层。本发明对于待加工材料表面无需加工的区域起到保护作用,杜绝加工区域周边出现牛顿环现象,同时降低了大气压低温等离子体射流的加工线宽,从而有效提高表面加工质量。 | ||
搜索关键词: | 固态 聚焦 大气压 低温 等离子体 射流 加工 方法 应用 | ||
【主权项】:
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