[发明专利]图案布局设计方法、图案形成方法和半导体器件制造方法在审
申请号: | 202011072242.3 | 申请日: | 2020-10-09 |
公开(公告)号: | CN112684659A | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 韩奎斌;金尚昱 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F7/20;H01L21/027 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 弋桂芬 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种设计图案的布局的方法、使用其形成图案的方法、和制造半导体器件的方法。在一旋转方向上旋转原始图案的布局以形成旋转图案的布局。将旋转图案的布局的顶点和分割点与参考点中离其最近的参考点匹配,并连接匹配的参考点,以形成第一修改图案的布局。放大第一修改图案的布局的区域,以形成第二修改图案的布局。形成具有与旋转图案的布局相同的方向的参考图案的布局。基于参考图案和第二修改图案的布局重叠的区域,形成目标图案的布局。对目标图案的布局执行光学邻近校正,以形成第三修改图案的布局,将第三修改图案的布局在相反的旋转方向上旋转以形成最终图案的布局。 | ||
搜索关键词: | 图案 布局 设计 方法 形成 半导体器件 制造 | ||
【主权项】:
暂无信息
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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