[发明专利]光学传感器和利用光学传感器的方法在审
申请号: | 202011072492.7 | 申请日: | 2014-09-28 |
公开(公告)号: | CN112201665A | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 李龙燮;林大湖 | 申请(专利权)人: | 美格纳半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L27/146;G01S7/481;G01S17/08;G01S17/88 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 方成;张川绪 |
地址: | 韩国忠清*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种光学传感器和利用光学传感器的方法。光学传感器包括:第一光电二极管,仅可见光滤波器布置在第一光电二极管上;第二光电二极管,仅红外阻挡滤波器布置在第二光电二极管上;以及第三光电二极管,第三光电二极管不具有任何滤波器,其中,光学传感器在通过第二光电二极管和第三光电二极管分别测量的第二测量值和第三测量值之间执行第一差集运算以测量物体的距离,并在第一差集运算的结果和通过第一光电二极管测量的第一测量值之间执行第二差集运算以测量特定波长的照度,其中,第一光电二极管至第三光电二极管彼此分开,其中,布置在第一光电二极管上的可见光滤波器和布置在第二光电二极管上的红外阻挡滤波器彼此分开预定距离。 | ||
搜索关键词: | 光学 传感器 利用 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的