[发明专利]炉管清洁方法及清洁设备在审
申请号: | 202011073112.1 | 申请日: | 2020-10-09 |
公开(公告)号: | CN112185863A | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 衡鹏;李亮亮;独虎 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;F27D25/00 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;张博 |
地址: | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种炉管清洁方法,包括:将预设量的具有疏水性的硅片放入炉管中、并对炉管采用第一预设温度进行加热第一预设时间,使得硅片吸收炉管内的污染物。利用疏水性硅片对炉管进行清洗,去除炉管内的污染物,且不影响晶舟的寿命。本发明还涉及一种炉管清洁设备。 | ||
搜索关键词: | 炉管 清洁 方法 设备 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造