[发明专利]发光二极管结构、电子设备及发光二极管结构的制作方法在审
| 申请号： | 202011074187.1 | 申请日： | 2020-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN112259656A | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 毛德丰;聂泳忠 | 申请（专利权）人： | 西人马联合测控（泉州）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/26 | 分类号： | H01L33/26;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 娜拉 |
| 地址： | 362000 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种发光二极管结构、电子设备及发光二极管结构的制作方法，包括：层叠设置的第一类型半导体层、多量子阱有源层、电子阻挡层、第二类型半导体层，以及与第一类型半导体层电连接的第一类型电极和与第二类型半导体层电连接的第二类型电极，其中，第一类型半导体层及第二类型半导体层一者为包括氢化非晶氮化硅的P型半导体层，另一者为N型半导体层。本申请采用P型氢化非晶氧化硅半导体层替代传统的P型氮化镓铝层，由于p型氢化非晶氧化硅材料不存在极化效应，且具有较低的势垒，因此更容易实现高空穴掺杂浓度，进而能够有效提高紫外发光二极管器件的空穴注入效率和发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 电子设备 制作方法 | ||
【主权项】：
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