[发明专利]一种可低温烧结的ZnO-Bi2

摘要

本发明公开了一种可低温烧结的ZnO‑Bi2O3基低压压敏陶瓷及其制备方法，具体为一种可在900℃低温烧结的具有高非线性、低电位梯度的ZnO‑Bi2O3基压敏陶瓷材料及其器件。材料由ZnO、Bi2O3、TiO2、Co2O3、MnO2和B2O3组成，配方为98 mol%ZnO+0.5 mol Bi2O3%+0.5 mol%TiO2+0.5 mol%Co2O3+0.5 mol%MnO2+x wt%B2O3，其中0x≤6。按照配方，称取相应的原材料后，利用固相合成法在900oC保温2‑5小时后得到相应的压敏陶瓷材料。当x=1时，本发明获得的ZnO‑Bi2O3基压敏电阻器综合性能为：压敏场强为130V/mm，非线性系数α高达40，漏电流密度JL=2.5μA/mm2；该陶瓷材料可用于制备纯银作为内电极的多层片式压敏电阻器。另外，本发明的制备方法具有工艺简单，能耗小，绿色环保等优点。