[发明专利]一种半导体光电探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 202011075162.3 | 申请日： | 2020-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN112103367B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 赵晓龙;谭鹏举;侯小虎;徐光伟;龙世兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09;H01L31/18;G01J1/42 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供垂直半导体光电探测器、平面半导体光电探测器及垂直、平面半导体光电探测器的制备方法，垂直半导体光电探测器包括第一衬底(11)、下电极(12)、第一功能层(13)及上电极(14)；下电极(12)与上电极(14)中的一者为活性电极，另一者为惰性电极，第一功能层(13)在电场下能发生阻变，并在阈值电压下形成下电极(12)与上电极(14)之间的导电通路；第一功能层(13)在光照下的阈值电压小于在非光照下的阈值电压。本发明提供的方法能够有效改善传统光电探测器中小尺寸和高响应的权衡问题、在弱光探测方面具有明显优势，同时还可以抑制光电探测器阵列中的交叉串扰问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
