[发明专利]一种赝竖式金刚石雪崩二极管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202011076947.2 申请日: 2020-10-10
公开(公告)号: CN112382669B 公开(公告)日: 2022-05-24
发明(设计)人: 何琦;张金风;任泽阳;张进成;郝跃 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01L29/861 分类号: H01L29/861;H01L21/329;H01L29/16;H01L29/45;H01L29/47
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 代理人: 刘长春
地址: 710000 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种赝竖式金刚石雪崩二极管及其制备方法,包括:本征金刚石衬底;第一P型金刚石层,位于本征金刚石衬底上;本征金刚石层,位于第一P型金刚石层的中心;欧姆电极,位于第一P型金刚石层上且环绕本征金刚石层;第二P型金刚石层,位于本征金刚石层上,本征金刚石层与第二P型金刚石层共同形成台面结构;肖特基电极,位于第二P型金刚石层上。该雪崩二极管通过采用金刚石作为雪崩二极管的衬底材料,并使得二极管形成贋竖式PIP结构,提高了雪崩二极管的雪崩发生几率、击穿电压、工作电流及响应速度,抑制了因工作温度过高而导致的失效问题,使得雪崩二极管雪崩状态可控且在高重频短脉冲下具有稳定复现的高击穿场强。
搜索关键词: 一种 赝竖式 金刚石 雪崩 二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
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