[发明专利]一种基于高纯本征单晶金刚石的雪崩二极管及制备方法有效
| 申请号： | 202011077757.2 | 申请日： | 2020-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN112382670B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 张金风;何琦;苏凯;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L29/16;H01L29/45;H01L29/47 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于高纯本征单晶金刚石的雪崩二极管及制备方法，该雪崩二极管包括：本征金刚石层，本征金刚石层为高纯本征金刚石层，本征金刚石层上形成有第一台面和第二台面，第一台面相对于第二台面凸起且位于第二台面的中心；欧姆电极，形成在第二台面的表面且环绕第一台面；肖特基电极，形成在第一台面的表面。该雪崩二极管提高了雪崩二极管的雪崩发生几率、击穿电压、工作电流、响应速度，并且抑制了因工作温度过高而导致的失效问题，使得雪崩二极管雪崩状态可控且在高重频短脉冲下具有稳定复现的高击穿场强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 高纯 征单晶 金刚石 雪崩 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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