[发明专利]一种波导型光电探测器及制造方法有效
申请号: | 202011077809.6 | 申请日: | 2020-10-10 |
公开(公告)号: | CN112186075B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 熊文娟;黎奔;林鸿霄;董燕;王桂磊;亨利·H·阿达姆松 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0232;H01L31/101 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 杨丽爽 |
地址: | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种波导型光电探测器及制造方法,第一衬底的正面形成有包覆层,包覆层中形成有第一氮化硅光波导,第二衬底的正面形成有锗外延层,第一衬底和第二衬底的正面键合之后,从第二衬底的背面进行减薄,以暴露锗外延层。而后对锗外延层进行刻蚀工艺,形成台阶结构,在台阶结构的侧壁形成第二氮化硅光波导,在锗外延层上形成光电探测器,从而实现氮化硅光波导与锗基探测器的集成。这样,第一氮化硅光波导传输的光能够通过第二氮化硅光波导更快传输至光电探测器中,利用氮化硅光波导较低的传输损耗性,提高光的传输效率,并且氮化硅波导与锗基光电探测器之间能形成高质量的氮化硅/锗界面,能够提高光电探测器的响应度以及光电转换能力。 | ||
搜索关键词: | 一种 波导 光电 探测器 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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