[发明专利]一种非挥发性只读存储器及其制备方法有效
申请号: | 202011078540.3 | 申请日: | 2020-10-10 |
公开(公告)号: | CN112259680B | 公开(公告)日: | 2022-07-26 |
发明(设计)人: | 李慕禅;田仲政;于学敏;于达程;任黎明;傅云义 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16 |
代理公司: | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人: | 贾晓玲 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明专利公开了一种非挥发性只读存储器及其制备方法。本发明利用磁性金属薄膜不同各向异性的调控,存储的信息通过磁性金属薄膜的不同磁性各向异性进行存储,该种存储器类似于掩膜式只读存储器,存储的信息在制备过程中就已经确定。本发明中所用到的制备方法完全为常用半导体加工工艺,因此该种磁性存储器件能够与目前的半导体加工工艺相相兼容,具备可集成的特点,并且该种制备方案只受制于光刻尺寸的限制,在尺寸缩小上具有很大潜力。 | ||
搜索关键词: | 一种 挥发性 只读存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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