[发明专利]三维存储器器件的沟槽结构

摘要

本发明是关于一种三维存储器器件的结构及其形成方法。该存储器器件包含衬底以及复数个在该衬底上且延伸于第一方向上的复数个字符线，其中，该第一方向延伸于x方向上。字符线形成在第一区域中的阶梯结构。复数个沟道形成在第二区域上并通过字符线。该第二区域在区域边界上紧邻该第一区域。该存储器器件还包含形成在该第一区域与该第二区域且延伸于该第一方向上的绝缘狭缝。该第一区域中以第二方向测量该绝缘狭缝的第一宽度大于该第二区域中以该第二方向测量该绝缘狭缝的第二宽度。