[发明专利]晶体的生长装置及生长方法有效
| 申请号： | 202011079436.6 | 申请日： | 2020-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN112281210B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 刘奇;黄末;陈翼;冯厚坤;冯参 | 申请（专利权）人： | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/26 | 分类号： | C30B15/26;C30B15/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 霍文娟 |
| 地址： | 221000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种晶体的生长装置及生长方法，包括炉体、坩埚、冷却套及导流筒，冷却套设在炉体的内部并对晶体进行冷却，导流筒设置在冷却套的外围，导流筒包括上导流筒部和下导流筒部，上导流筒部呈筒体状且环绕冷却套设置，下导流筒部设在上导流筒部的下端且位于冷却套的下侧，下导流筒部为一个中空的上大下小圆台结构，圆台结构内周壁上形成一个凹槽，凹槽的顶部贯穿圆台结构，冷却套沿着坩埚的轴向移动。该生长装置中，冷却套沿着坩埚的轴向移动，影响到炉体内热场分布，可微调固液界面处温度梯度，从而可拉制一定宽度无缺陷生长区域的晶体，解决了现有技术中固液界面的温度梯度较难控制导致拉制出缺陷较多生长区域的晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
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