[发明专利]形成垂直场效应晶体管（VFET）器件的方法在审
| 申请号： | 202011079803.2 | 申请日： | 2020-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN112652538A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 全辉璨;徐康一;任廷爀 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8234;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了形成垂直场效应晶体管(VFET)器件的方法。所述方法可以包括在基板上形成初始VFET。初始VFET可以包括在基板上的底部源极/漏极区域、在底部源极/漏极区域上的沟道区域、在沟道区域上的顶部源极/漏极区域、在沟道区域的侧表面上的图案化的牺牲层、以及绝缘层。顶部源极/漏极区域和图案化的牺牲层可以由绝缘层围绕。所述方法还可以包括：形成延伸穿过绝缘层并暴露图案化的牺牲层的部分的接触开口；通过经由接触开口去除图案化的牺牲层，在沟道区域和绝缘层之间形成空腔；以及在空腔中形成栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 垂直 场效应 晶体管 vfet 器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
