[发明专利]一种SiC异构结微波二极管噪声的评价方法及系统有效
| 申请号： | 202011079917.7 | 申请日： | 2020-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN112214954B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 韦文生;莫越达;白凯伦 | 申请（专利权）人： | 温州大学 |
| 主分类号： | G06F30/373 | 分类号： | G06F30/373;G06F111/10;G06F119/10 |
| 代理公司： | 温州名创知识产权代理有限公司 33258 | 代理人： | 陈加利 |
| 地址： | 325000 浙江省温州市瓯海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SiC异构结微波二极管噪声的评价方法及系统，包括获取待测SiC异构结微波二极管，并选择相应的噪声影响因素，含有电离雪崩效应、场致隧穿效应和量子效应；修正待测SiC异构结微波二极管的连续性方程、电流密度方程及泊松方程；对待测SiC异构结微波二极管进行空间及时间二维网格化，使修正的连续性方程、电流密度方程及泊松方程离散化成方程组；求解离散化的方程组，得到结构、稳态性能和交流性能参数值；构建由噪声电场强度函数及边界条件组成的噪声模型；将结构、稳态性能和交流性能参数值导入噪声模型和边界条件中进行双迭代计算，得到待测SiC异构结微波二极管的噪声参数值。本发明能改善SiC异构结微波二极管的噪声检测精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 异构结 微波 二极管 噪声 评价 方法 系统 | ||
【主权项】：
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