[发明专利]一种适用于晶体生长过程的行波磁场控制方法有效
| 申请号： | 202011080122.8 | 申请日： | 2020-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN112195519B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 李早阳;刘文超;邵玥;刘立军;孙聂枫 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C30B30/04 | 分类号： | C30B30/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 闵岳峰 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于晶体生长过程的行波磁场控制方法，该方法是在导电熔体的外围施加一个由正弦交变电源产生的行波磁场，该行波磁场的发生装置由多组线圈构成，线圈的结构参数及电流参数均可便利调节。所述行波磁场在导电熔体内产生的感应电流和磁场相互作用产生洛伦兹力，对某一种导电熔体而言，行波磁场参数的改变会影响到洛伦兹力的大小、方向和及其在熔体中的分布。本发明通过改变不同长晶阶段的行波磁场参数来控制熔体流动、温度分布、结晶界面形状、杂质分布等晶体生长参数，以提高晶体品质，例如在晶体生长过程中调制行波磁场参数使得结晶界面形状一直保持平直或微凸、杂质在轴向和径向分布均匀等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 晶体生长 过程 行波 磁场 控制 方法 | ||
【主权项】：
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