[发明专利]一种制备疏水型六方氮化硼纳米片的方法有效
| 申请号： | 202011083688.6 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN112209354B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 吴斌;景录如;崔益华;张春琪;黄现礼;马俊锋 | 申请（专利权）人： | 苏州太湖电工新材料股份有限公司;欧邦科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | C01B21/064 | 分类号： | C01B21/064;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 向亚兰 |
| 地址： | 215214 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种制备疏水型六方氮化硼纳米片的方法，包括：(a)将羟基化六方氮化硼进行冻融膨胀处理制备膨胀的羟基化六方氮化硼；(b)将步骤(a)制备的膨胀的羟基化六方氮化硼与式(Ⅰ)所示的化合物在第一溶剂中、在无水环境中、在温度为60～78℃下混合搅拌，得第一混合溶液，然后向所得的第一混合溶液中加入不饱和酸和/或不饱和酸酐、第二溶剂，在温度为85～115℃下进行反应，制成疏水型六方氮化硼纳米片； |
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| 搜索关键词： | 一种 制备 疏水 型六方 氮化 纳米 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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