[发明专利]一种纳米片状ZnO@Ag/绝缘复合材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202011084062.7 | 申请日： | 2020-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN112280195A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 刘宗喜;欧阳本红;赵鹏;陈铮铮;李红雷;迟庆国;王绪彬 | 申请（专利权）人： | 中国电力科学研究院有限公司;国网上海市电力公司;国家电网有限公司;哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | C08L23/16 | 分类号： | C08L23/16;C08K9/12;C08K9/06;C08K7/00;C08K3/22;C08K3/08;C08K5/14 |
| 代理公司： | 北京工信联合知识产权代理有限公司 11266 | 代理人： | 夏德政 |
| 地址： | 100192 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种纳米片状ZnO@Ag/绝缘复合材料的制备方法，包括以下步骤：制备ZnO纳米片；对ZnO纳米片进行改性；将改性后的ZnO纳米片分散在溶剂中形成ZnO悬浊液，将硝酸银和适量分散剂溶于溶剂中得到溶液A，将适量硼氢化钠和氢氧化钠溶于溶剂中形成溶液B，将溶液A与溶液B分别缓慢滴入所述ZnO悬浊液中，得到ZnO@Ag；取ZnO@Ag，绝缘基体材料和交联剂依次进行混炼和热压硫化成型，最终得到ZnO@Ag/绝缘复合材料。本发明可以有效的提高EPDM的电导特性，具有较低的阈值场强，良好的电导率非线性系数以及较稳定的直流击穿场强，且本发明制备工艺及所需设备简单，成本低廉，安全无污染，容易实施。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 片状 zno ag 绝缘 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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