[发明专利]正极活性物质的制造方法及二次电池在审

专利信息
申请号: 202011084180.8 申请日: 2018-06-14
公开(公告)号: CN112201844A 公开(公告)日: 2021-01-08
发明(设计)人: 高桥正弘;三上真弓;门马洋平;落合辉明;齐藤丞 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01M10/0525 分类号: H01M10/0525;H01M4/36;H01M4/525;H01M4/58;C01G51/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 刘多益;葛臻翼
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种正极活性物质在充电状态和放电状态间的结晶结构的变化很小。例如,与现有的正极活性物质相比,在放电状态时具有层状岩盐型结晶结构而在4.6V左右的高电压充电状态时具有拟尖晶石型结晶结构的正极活性物质通过充放电的结晶结构及体积变化小。为了形成在充电状态时具有拟尖晶石型结晶结构的正极活性物质,优选混合氟等卤素源及镁源与预先合成的含有锂、过渡金属和氧的复合氧化物的粒子,然后以适当的温度及时间对该混合物进行加热。
搜索关键词: 正极 活性 物质 制造 方法 二次 电池
【主权项】:
暂无信息
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