[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 202011084344.7 | 申请日： | 2020-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN112259611A | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 董承远;章雯 | 申请（专利权）人： | 昆山龙腾光电股份有限公司;上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 蔡光仟 |
| 地址： | 215301 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括基板，依次设置在基板上的栅极、栅极绝缘层、氧化物半导体层和源漏极金属层，源漏极金属层包括间隔设置的源极和漏极，氧化物半导体层包括第一氧化物层和层叠设置在第一氧化物层上方的第二氧化物层，第一氧化物层的含氧量低于第二氧化物层；部分第一氧化物层从第二氧化物层的两侧露出，源极和漏极相互间隔并分别与从第二氧化物层的两侧露出的第一氧化物层直接接触连接，使得源极、漏极与氧化物半导体层形成了较好的欧姆接触，有效地提高了薄膜晶体管的开态电流，优化了薄膜晶体管的综合性能。本发明还涉及一种氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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