[发明专利]一种基于半导体温控的晶粒取向控制方法有效

专利信息
申请号: 202011084546.1 申请日: 2020-10-12
公开(公告)号: CN112151401B 公开(公告)日: 2023-08-18
发明(设计)人: 曾志;覃永昊;彭倍;于慧君;周吴;杜旭荧 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 成都知集市专利代理事务所(普通合伙) 51236 代理人: 李位全
地址: 610000 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种基于半导体温控的晶粒取向控制方法,包括该方法包括将第一焊盘、焊锡接头、待焊接件和第二焊盘在加热重熔前通过真空钎焊焊接连接;加载电源于第一焊盘上,焊锡接头在通电后产生焦耳热重新融化;加载电源于第一半导体制冷模块和第二半导体制冷模块上,使第一半导体制冷模块贴合于第一焊盘的一面制热,第二半导体制冷模块贴合于第二焊盘的一面制冷,在焊锡接头的冷却过程中形成温度梯度;本发明提供的凝固装置通过给第一焊盘和第二焊盘加载电源,从而给焊锡接头施加电流实现焦耳热加热重熔,使焊锡接头的晶粒取向重新排列,提高了IGBT高功率元器件抗功率疲劳损伤的能力。
搜索关键词: 一种 基于 半导体 温控 晶粒 取向 控制 方法
【主权项】:
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