[发明专利]一种基于半导体温控的晶粒取向控制方法有效
申请号: | 202011084546.1 | 申请日: | 2020-10-12 |
公开(公告)号: | CN112151401B | 公开(公告)日: | 2023-08-18 |
发明(设计)人: | 曾志;覃永昊;彭倍;于慧君;周吴;杜旭荧 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 成都知集市专利代理事务所(普通合伙) 51236 | 代理人: | 李位全 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种基于半导体温控的晶粒取向控制方法,包括该方法包括将第一焊盘、焊锡接头、待焊接件和第二焊盘在加热重熔前通过真空钎焊焊接连接;加载电源于第一焊盘上,焊锡接头在通电后产生焦耳热重新融化;加载电源于第一半导体制冷模块和第二半导体制冷模块上,使第一半导体制冷模块贴合于第一焊盘的一面制热,第二半导体制冷模块贴合于第二焊盘的一面制冷,在焊锡接头的冷却过程中形成温度梯度;本发明提供的凝固装置通过给第一焊盘和第二焊盘加载电源,从而给焊锡接头施加电流实现焦耳热加热重熔,使焊锡接头的晶粒取向重新排列,提高了IGBT高功率元器件抗功率疲劳损伤的能力。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 半导体 温控 晶粒 取向 控制 方法 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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