[发明专利]一种深紫外多波长MSM窄带光电探测器及其制备方法在审
申请号: | 202011085614.6 | 申请日: | 2020-10-12 |
公开(公告)号: | CN112186052A | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 高娜;陈俊鑫;黄长峰;朱啟芬;黄凯;康俊勇 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/108;H01L31/18 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 张松亭;杨锴 |
地址: | 361000 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明涉及一种高外量子效率的深紫外多波长MSM窄带光电探测器及其制备方法。所述的光电探测器包括衬底、缓冲层、至少两组超短周期超晶格层、金属叉指电极,每组超短周期超晶格层的分子层数不同;超短周期超晶格层的上表面沉积金属纳米颗粒阵列;不同的超短周期超晶格层对应沉积不同尺寸、形状及周期的金属纳米颗粒阵列;金属叉指电极设置在超短周期超晶格层上表面,形成肖特基接触。本发明通过将多组不同尺寸、形状及周期的金属纳米颗粒阵列设置在超短周期超晶格层上,能够针对超短周期超晶格层的特定窄带光吸收进行有效地局域表面等离激元增强,进一步提高对深紫外光的吸收效率,最终改善多波长MSM窄带探测器的响应度和外量子效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 深紫 波长 msm 窄带 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的