[发明专利]一种基于碳点的离子印迹荧光传感器的制备方法有效
| 申请号： | 202011086579.X | 申请日： | 2020-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN112082980B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 孙春艳;王志明;吴顺薇 | 申请（专利权）人： | 青海大学 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64;G01N21/31 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 申星宇 |
| 地址： | 810016 青*** | 国省代码： | 青海;63 |
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| 摘要： |
本发明属于材料合成技术领域，提供了一种基于碳点的离子印迹荧光传感器的制备方法，具体包括：SBA‑15分子筛的羟基活化；SBA‑15分子筛的氨基化；再将碳量子点粉末，加入超纯水溶解搅拌均匀后，再加入偶联剂与羧基活化剂超声完毕后，将SBA‑15分子筛的氨基化产品SBA‑15‑NH |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 离子 印迹 荧光 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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