[发明专利]一种离子光频标黑体辐射温度评估方法有效
| 申请号： | 202011087659.7 | 申请日： | 2020-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN112254819B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 曹健;黄学人;张平;魏远飞;舒华林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院精密测量科学与技术创新研究院 |
| 主分类号： | G01J5/53 | 分类号： | G01J5/53;G01K7/18;G06F30/23;G01J5/48;G06F119/08 |
| 代理公司： | 武汉宇晨专利事务所(普通合伙) 42001 | 代理人： | 李鹏;王敏锋 |
| 地址： | 430071 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种离子光频标黑体辐射温度评估方法，采用有限元分析软件搭建黑体辐射有限元分析模型；测量离子阱中不同部件材料表面的发射率测量值；计算离子感受到的黑体辐射温度时需要设置发射率测量值，计算离子感受到的黑体辐射温度T |
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| 搜索关键词： | 一种 离子 光频标 黑体 辐射 温度 评估 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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