[发明专利]基于自组装亚微米ITO/Sc/ITO电流扩展层的GaN基发光二极管及制备方法

摘要

本发明公开了一种基一种基于自组装亚微米ITO/Sc/ITO电流扩展层结构的GaN基发光二极管及其制备方法，主要解决现有LED电流扩展层对光子的反射损耗与电流扩展不均匀的问题。其自下而上包括：4H‑SiC或蓝宝石衬底、高温AlN成核层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN多量子阱、AlGaN电子阻挡层、p型层、电流扩展层和电极，其中：电流扩展层采用自组装亚微米图形的ITO/Sc/ITO三层结构，即表层和底层均为铟锡氧化物ITO，中间层为Sc。本发明优化了在电流扩展层中的电流的分布，改善了光输出通路，降低了光在反射中的损耗，提高了发光二极管的光输出效率，可用于制作高效率的GaN基发光设备。