[发明专利]一种导电细丝型忆阻器及制备方法与存储模式的调控方法在审
| 申请号： | 202011088579.3 | 申请日： | 2020-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN112382721A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 周晔;韩素婷;王俊杰;吕子玉 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y40/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 朱阳波 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种导电细丝型忆阻器及制备方法与存储模式的调控方法。所述导电细丝型忆阻器包括：底电极、形成在所述底电极上的核壳量子点层、形成在所述核壳量子点层上的顶电极。本发明所述导电细丝型忆阻器将核壳量子点层作为忆阻器的介质层，利用核壳量子点光响应性实现了光调控忆阻器在易失性存储模式与非易失性存储模式之间的切换，具有可远程操控、非损害、简易等优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 细丝 型忆阻器 制备 方法 存储 模式 调控 | ||
【主权项】：
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