[发明专利]一种快速可控低成本制备大面积SiC纳米柱阵列的方法在审
| 申请号： | 202011091501.7 | 申请日： | 2020-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN112216600A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 郭书文;赵小龙;贺永宁;杨明超;蔡亚辉;张亮亮 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/3065;H01L21/308;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 闵岳峰 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种快速可控低成本制备大面积SiC纳米柱阵列的方法。该方法通过采用光刻、干法刻蚀、高温热氧化与湿法腐蚀工艺相结合的方法实现SiC纳米柱阵列的制备，具体包括SiC片的一次标准清洗、刻蚀图形掩膜光刻、SiC微米柱阵列刻蚀、SiC片二次标准清洗、SiC微米柱阵列表面高温氧化及湿法腐蚀去除SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 快速 可控 低成本 制备 大面积 sic 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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